薄膜制备系统精准到原子级别——突破集成电路行业10纳米技术代的关键
单位：微电子研究所
突破“形核长大”薄膜材料生长原理，在国际上首创适变电场调制的原子层吸附生长方法，达到原子级别智能化，使得薄膜材料制备更精准、更致密、更均匀。
媒体报道：
【中国科学院微电子研究所】原子层沉积设备技术荣获“第八届（2013年度）中国半导体创新产品和技术”称号
日前，“2014年中国半导体市场年会” 在无锡举行，微电子所微电子设备技术研究室自主研发的原子层沉积设备技术荣获“第八届（2013年度）中国半导体创新产品和技术”称号，微电子设备技术研究室主任夏洋出席并领奖。
“第八届（2013年度）中国半导体创新产品和技术”评选活动由中国电子专用设备工业协会、中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子报共同举办，包含原子层沉积设备技术在内的8项半导体设备被评选为“2013年度中国半导体创新产品和技术”。
原子层沉积设备技术为国家科技重大专项02专项项目“32nm以下设备关键技术研究及创新设备技术探索”成果之一，研制产品针对32 nm以下技术代原子层薄膜沉积（ALD）系统及相应的高K栅介质工艺验证及新材料制备工艺进行探索。该机型可实现全流程自动化控制，具有均匀性好、技术指标广泛可调、使用范围广等特点。设备可实现200mm 单片晶片沉积，衬底沉积温度范围25-450℃，温度均匀性±2-3℃，沉积速度为0.1-3A/cycle，薄膜杂质含量＜8 %，可用于TiO2、Al2O3、HfO2、ZnO、氮掺杂二氧化钛薄膜及CNx薄膜沉积等多种薄膜沉积。该技术在国内外相关期刊发表论文十余篇，申请专利73项，其中国内发明专利66项、外观3项、国际发明专利4项，可有效地通过专利形成技术保护。
该设备技术的研制成功，一方面可以积累相关的核心知识产权，为下一步产业化做好充分的准备；另一方面其研制的原理机结构设计简洁，具有体积小、成本低的特点，且性能优良，维护方便，可满足绝大多科研单位的需求，因此在研制阶段完成后，即可快速推进科研型设备的市场化。
该设备研制完成后通过专利转让，经嘉兴科民电子设备技术有限公司联合进行后续开发，成功实现了20台ALD设备的销售，销售额达到900多万元，产品主要用户包括复旦大学、清华大学、厦门大学、中科院上海微系统所等国内高校研究院所并销往美国，产生了一定的经济效益，在行业内具有了一定的影响。
原子层沉积系统
获奖证书
转自中国科学院微电子研究所：原子层沉积设备技术荣获“第八届（2013年度）中国半导体创新产品和技术”称号（http://www.ime.ac.cn/xwzt/zhxw/201404/t20140409_4087725.html）
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