单位：半导体研究所

在传统半导体激光芯片中引入垂直和水平方向的啁啾光子晶体结构，基于复合腔实现联合调控电子态和光子态，在保证激光高效输出的同时，有效解决了传统半导体激光芯片中存在的发散角大、亮度低等共性难题，提高了激光输出汇聚能力。

与传统激光芯片制备技术兼容，可批量制造和推广，国际上尚未有相关产品销售，属未来高端激光芯片发展的新方向，是我国在高端芯片领域自主发展，有望实现反制的新技术方案。

相关链接：1.半导体研究所 http://www.semi.ac.cn/